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  隨著國(guó)內(nèi)外LED行業(yè)向高效率、高密度、大功率等方向發(fā)展，從2016到2019就能看出，整體國(guó)內(nèi)LED有了快速發(fā)展，如今功率也是越來(lái)越大，在開發(fā)性能優(yōu)越的散熱材料已經(jīng)成為LED散熱問(wèn)題的解決，也是當(dāng)務(wù)之急。為了使LED結(jié)溫保持著較低溫度下，然而必須采用高導(dǎo)熱率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，從而以降低LED總體的封裝熱阻。

如今現(xiàn)代通訊技術(shù)的發(fā)展，在多層陶瓷基板上憑借著其靈活布線、三維集成等優(yōu)勢(shì)廣泛應(yīng)用于航空航天、衛(wèi)星通訊等射頻領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)向高密度，小型化，輕量化的方向發(fā)展，現(xiàn)在越來(lái)越多的電路組件使用多層陶瓷基板一體化封裝技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)模塊化和器件化。

研究AIN多層陶瓷基板一體化封裝技術(shù)，AIN多層陶瓷相比較于低溫共燒陶瓷和AI2O3共燒陶瓷來(lái)講，其中導(dǎo)熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)和Si更接近。

在伴隨著電子設(shè)備的集成度大幅提高，電路中單位面積所散發(fā)出來(lái)的熱量不斷增大，系數(shù)對(duì)散熱要求也越來(lái)越高。

AIN一體化封裝工藝結(jié)構(gòu)

1、AlN基板制備流程

  AIN多層陶瓷基板制備流程與傳統(tǒng)低溫共燒陶瓷工藝流程基本一致，由于材料體系和成分差別，與個(gè)別工藝略有不同。在實(shí)驗(yàn)陶瓷材料采用厚度為0.13mm高純氮化鋁膜帶，通孔金屬漿料和印刷漿料均選擇高溫?zé)?/span>結(jié)鎢漿，一般AlN燒結(jié)需要在還原氣氛下進(jìn)行；排膠和燒結(jié)是AlN多層陶瓷基板制備流程中的關(guān)鍵工序，影響著基板的翹曲、開裂等，直接決定了多層板的性能和質(zhì)量。陶瓷基板表面共燒的鎢漿無(wú)法直接進(jìn)行焊接、鍵合且極易氧化，需要在表層進(jìn)行化鍍鎳鈀金進(jìn)行后續(xù)裝配。

 2、AlN一體化封裝結(jié)構(gòu)

 AlN多層陶瓷基板的一體化封裝主要由以下幾部分組成：AlN多層陶瓷基板，圍框和蓋板，具體結(jié)構(gòu)如圖1所示。

 圍框一般采用焊接溫度較高的焊料與基板焊接，對(duì)于整體結(jié)構(gòu)而言，圍框材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)需要與基板熱膨脹系數(shù)接近，以防在焊接時(shí)熱應(yīng)力失配造成產(chǎn)品開裂。蓋板與圍框多采用平行縫焊的方式進(jìn)行氣密封裝。

氮化鋁陶瓷基板一體化封裝工藝流程

      1.一體化封裝材料    2.圍框焊接及測(cè)試    3.氣密封焊及測(cè)試