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    半導(dǎo)體器件用在基板上材料性能要求，半導(dǎo)體封裝基板材料是承載電子元件及其相互聯(lián)線，并具有良好的電絕緣性的基體。氮化硅陶瓷基板材料應(yīng)具有以下性能特點(diǎn)： 

    1. 良好的絕緣性及抗電擊穿能力；

     2. 高熱導(dǎo)率：導(dǎo)熱性直接影響半導(dǎo)體期間的運(yùn)行狀況和使用壽命，散熱性差所導(dǎo)致的溫度場(chǎng)分布不均勻也會(huì)是電子器件噪聲大大增加；

     3. 熱膨脹系數(shù)與封裝內(nèi)其他所用材料相互匹配；

     4. 良好的高頻特性：即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)損耗；

     5. 表面光滑，厚度一致：便于在基板表面印刷電路，并確保印刷電路的厚度均勻：

     半導(dǎo)體正沿著大功率、高頻化、集成化方向發(fā)展。半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、LED照明等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。氮化硅陶瓷基板作為電子元器件在LED照明散熱領(lǐng)域起著非常重要的作用。

     目前常用的基板材料包括：陶瓷基片、玻璃陶瓷基片、金剛石、樹(shù)脂基片、硅基片以及金屬或金屬?gòu)?fù)合材料等。其中陶瓷由于具有絕緣性好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、熱導(dǎo)率高、高頻特性好等優(yōu)點(diǎn)而受到應(yīng)用。國(guó)內(nèi)對(duì)陶瓷電路基板的需求也非常巨大，以氧化鋁陶瓷基板為例，目前我國(guó)的需求量每年超過(guò)100萬(wàn)平方米，而其中90%依賴進(jìn)口。

     氮化硅陶瓷基板具有硬度大、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高溫蠕動(dòng)小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小、與用油潤(rùn)滑的金屬表面相似等諸多優(yōu)異性能，是綜合性最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。單晶氮化硅的理論熱導(dǎo)率可達(dá)400W/(m.k),具有成為高熱導(dǎo)基片的潛力。 此外氮化硅的熱膨脹系數(shù)為3.0乘以10-6/攝氏度左右，與SI.SIC和caas等材料匹配良好，這使得氮化硅陶瓷電路板基片將成為一種具有吸引力的高強(qiáng)度導(dǎo)熱電子器件基板資料。

     與其它陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷基板材料具有明顯優(yōu)勢(shì)，尤其是高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現(xiàn)出的耐高溫性能、對(duì)金屬的化學(xué)惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學(xué)性能。以下是氮化硅、氮化鋁、三氧化二鋁三種陶瓷基板材料的性能比較。