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先進(jìn)陶瓷基板對(duì)精細(xì)線/空間圖案形成和大功率應(yīng)用的需求推動(dòng)了dpc（直接鍍銅）陶瓷基板技術(shù)的發(fā)展。與LTCC、HTCC、DBC陶瓷基板相比，DPC陶瓷基板還具有表面平整度和走線對(duì)準(zhǔn)誤差更小的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)將Ag塞孔工藝更改為Cu填充孔工藝，DPC技術(shù)繼續(xù)向更高功率、微波應(yīng)用和更低成本發(fā)展。

由于DPC陶瓷基板中通孔的尺寸和縱橫比特性，完全填充通孔以及表面電路配方極具挑戰(zhàn)性。這個(gè)完整的項(xiàng)目通過(guò)開發(fā)dpc陶瓷基板的制造工藝和材料來(lái)提出我們的解決方案，以克服無(wú)空洞通孔填充的挑戰(zhàn)。

此外，增加了差分蝕刻工藝以增強(qiáng)蝶形電鍍并控制表面電鍍厚度，為了達(dá)到鍍銅跡線和凸塊的表面平整度和面板水平均勻性的要求，為電鍍矯平機(jī)設(shè)計(jì)了一種新穎的分子結(jié)構(gòu)。同時(shí)滿足了電路配方對(duì)表面鍍層厚度、表面平整度的要求，通過(guò)優(yōu)化脈沖電鍍波形、有機(jī)添加劑和孔中的攪拌條件，采用了蝶形電鍍工藝來(lái)填充通孔。

電鍍陶瓷基板DPC具有很好的導(dǎo)熱/耐熱性好、圖形精度高、可垂直互連等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件封裝。在dpc陶瓷基板制備過(guò)程中，電鍍銅層厚度及其均勻性、表面粗糙度等對(duì)基板性能及器件封裝質(zhì)量影響極大。對(duì)比分析了幾種研磨技術(shù)對(duì)dpc陶瓷基板性能的影響，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明砂帶研磨效率高，但銅層表面粗糙度高，只適用于dpc陶瓷基板表面粗磨加工，數(shù)控研磨與陶瓷刷磨加工的銅層厚度均勻性好，表面粗糙度低，滿足光電器件倒裝共晶鍵合的要求（通常粗糙度小于0.3μm，厚度范圍較小）大于 30 微米）。對(duì)于表面粗糙度要求較高（小于0.1 μm）的DPC陶瓷基板，需要將粗磨和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等研磨工藝相結(jié)合。