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如今在氮化鋁陶瓷基板是一種改進(jìn)熱管理的技術(shù)，而熱管理目前限制了基于GaN的射頻功率電子設(shè)備的性能。電信供應(yīng)商、汽車行業(yè)和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)制造商都對(duì)基于GaN的電子設(shè)備越來越感興趣。盡管太空和軍事最終用戶正在推動(dòng)當(dāng)今的大部分發(fā)展，但GaN被廣泛視為3G/4G無線基站中高功率放大器的一種有前途的技術(shù)。

氮化鋁陶瓷基板具有優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)性能，被認(rèn)為是最有前途的高導(dǎo)熱陶瓷基板材料。為了密封封裝結(jié)構(gòu)、貼裝元器件和連接輸入輸出端子，需要對(duì)氮化鋁陶瓷基板的表面和內(nèi)部進(jìn)行金屬化處理。

陶瓷表面金屬化的可靠性和性能對(duì)陶瓷基板的應(yīng)用具有重要影響，牢固的結(jié)合強(qiáng)度和優(yōu)良的氣密性是最基本的要求?？紤]到基板的散熱性，還要求金屬與陶瓷的界面具有較高的導(dǎo)熱性。氮化鋁陶瓷表面的金屬化方法有薄膜法、厚膜法、高熔點(diǎn)金屬化法、化學(xué)鍍法、直接鍍銅法（DBC）等。

讓我介紹最常見的方法--直接鍍銅（DBC）

直接覆銅是在氮化鋁陶瓷表面鍵合銅箔的一種金屬化方法，它是隨著板上芯片封裝技術(shù)的興起而發(fā)展起來的一種新工藝。其基本原理是在Cu與陶瓷之間引入氧元素，在1065~1083℃形成Cu/O共晶液相，再與陶瓷基體和銅箔反應(yīng)生成Cu(AIO2)2，在中間體中相銅箔與基體的結(jié)合是在相的作用下實(shí)現(xiàn)的。由于氮化鋁屬于非氧化物陶瓷，其表面鍍銅的關(guān)鍵是在其表面形成AI2O3過渡層，實(shí)現(xiàn)有效過渡層作用下銅箔與基體陶瓷之間的結(jié)合。

直接覆銅法導(dǎo)熱性好，附著強(qiáng)度高，機(jī)械性能好，易于大規(guī)模生產(chǎn)，但氧化工藝條件不易控制。

氮化鋁陶瓷基板金屬化是半導(dǎo)體電子、射頻器件、功率放大器材料中最理想的散熱和封裝材料，由于具有高熱傳導(dǎo)率、高絕緣電阻系數(shù)、優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度及抗熱震性等特性，也是成為重要的精密陶瓷材料之一。高性能氮化鋁陶瓷基板對(duì)大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。